La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

DTB123YCHZGT116

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica:	DTB123YCHZGT116
Descripción:	PNP -500MA -50V DIGITAL TRANSIST
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie	Automotive, AEC-Q101
Empaquetado	Cut Tape (CT)
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	200mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased + Diode
Resistencia - Base (R1)	2.2 kOhms
Frecuencia - Transición	200MHz
Paquete de dispositivos de proveedores	SST3
Resistencia - Base emisora (R2)	10 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	500mA
Corriente - Corte del colector (máx.)	-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V