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BSM600C12P3G201

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSM600C12P3G201
Descripción: BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tray
Vgs (máx.) +22V, -4V
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso Module
Vgs(th) (Max) - Id 5.6V @ 182mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs -
Disipación de energía (máx.) 2460W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 28000pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 600A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) -

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