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WPB4002-1E

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: WPB4002-1E
Descripción: MOSFET N-CH 600V 23A TO3P3L
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 360mOhm @ 11.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 220W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P-3L
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 84nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2200pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 23A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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