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NTMSD6N303R2SG
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | NTMSD6N303R2SG |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | FETKY™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 2W (Ta) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-SOIC |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 30nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 950pF @ 24V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 6A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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