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NSVMUN2212T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Ficha técnica: NSVMUN2212T1G
Descripción: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 230mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Número de pieza base MUN2212
Resistencia - Base (R1) 22 kOhms
Paquete de dispositivos de proveedores SC-59-3
Resistencia - Base emisora (R2) 22 kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 5105 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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