La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

MUN5212DW1T1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: MUN5212DW1T1G
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base MUN52**DW1T
Resistencia - Base (R1) 22kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistencia - Base emisora (R2) 22kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 9020 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
$0
MUN5312DW1T1G
ON Semiconductor
$0
BC846BS,135
Nexperia USA Inc.
$0.04
BC846S,115
Nexperia USA Inc.
$0
BC847BV,315
Nexperia USA Inc.
$0