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FDR858P

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDR858P
Descripción: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 19mOhm @ 8A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-8
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2010pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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