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FDMS8888

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDMS8888
Descripción: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PQFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 33nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1585pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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