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FDMD85100
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | FDMD85100 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 100V |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 2.2W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerWDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-Power 5x6 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 31nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 100V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2230pF @ 50V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 10.4A |
En stock 2910 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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