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FDD6612A

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD6612A
Descripción: MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 20mOhm @ 9.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.8W (Ta), 36W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-PAK (TO-252)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9.4nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 660pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.5A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2006 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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