Fabricantes: | ON Semiconductor |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FCP190N65F |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | FRFET®, SuperFET® II |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 2mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 190mOhm @ 10A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 208W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 78nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3225pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 20.6A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.87 | $1.83 | $1.80 |