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PSMN3R7-100BSEJ

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PSMN3R7-100BSEJ
Descripción: PSMN3R7-100BSE/SOT404/D2PAK
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.95mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 405W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores D2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 246nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 16370pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 120A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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