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PMZB670UPE,315

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: PMZB670UPE,315
Descripción: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 3-XFDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DFN1006B-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1.14nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 87pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 680mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 28135 pcs

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