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BFG25AW/X,115

Fabricantes: NXP USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ficha técnica: BFG25AW/X,115
Descripción: RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante NXP USA Inc.
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Ganar -
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-343 Reverse Pinning
Tipo de transistor NPN
Número de pieza base BFG25
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Frecuencia - Transición 5GHz
Paquete de dispositivos de proveedores 4-SO
Figura de ruido (dB Typ - f) 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 6.5mA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 50 @ 500µA, 1V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 5V

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BFG540W/XR,135
NXP USA Inc.
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BFP 740FESD E6327
Infineon Technologies
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UNR511600L
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