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MV2N5114
| Fabricantes: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - JFETs |
| Ficha técnica: | MV2N5114 |
| Descripción: | P CHANNEL JFET |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - JFETs |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Empaquetado | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 500mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Resistencia - RDS(On) | 75 Ohms |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-18 (TO-206AA) |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Voltaje - Desglose (V(BR)GSS) | 30V |
| Voltaje - Corte (VGS apagado) - Id | 10V @ 1nA |
| Corriente - Drenaje (Idss) - Vds (Vgs-0) | 90mA @ 18V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 25pF @ 15V |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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