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JAN2N3637

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: JAN2N3637
Descripción: TRANS PNP 175V 1A
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/357
Empaquetado Bulk
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tipo de transistor PNP
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores TO-39
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 600mV @ 5mA, 50mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1A
Corriente - Corte del colector (máx.) 10µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 175V

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