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APTM20AM10STG

Fabricantes:	Microsemi Corporation
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	APTM20AM10STG
Descripción:	MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	Microsemi Corporation
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado	Bulk
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	694W
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / Caso	SP4
Vgs(th) (Max) - Id	5V @ 5mA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	12mOhm @ 87.5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	SP4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	224nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	13700pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	175A