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APTGV25H120T3G

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: APTGV25H120T3G
Descripción: IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 156W
Configuración Full Bridge Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso SP3
Temperatura de funcionamiento -
Paquete de dispositivos de proveedores SP3
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 40A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 1.8nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 250µA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

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