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APTGT75H60T2G

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: APTGT75H60T2G
Descripción: POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 250W
Configuración Full Bridge Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso SP2
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores SP2
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 4.62nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 250µA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 600V

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