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APT45GP120JDQ2

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: APT45GP120JDQ2
Descripción: IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie POWER MOS 7®
Tipo IGBT PT
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 329W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC No
Paquete / Caso ISOTOP
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores ISOTOP®
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 75A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 4nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 750µA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

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