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APT45GP120B2DQ2G

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: APT45GP120B2DQ2G
Descripción: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie POWER MOS 7®
Tipo IGBT PT
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 185nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 625W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3 Variant
Condición de la prueba 600V, 45A, 5Ohm, 15V
Cambio de energía 900µJ (on), 905µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 18ns/100ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 113A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 170A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 16 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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