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APT10M07JVR

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: APT10M07JVR
Descripción: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie POWER MOS V®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / Caso SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 5mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Disipación de energía (máx.) 700W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores ISOTOP®
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 1050nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 21600pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 225A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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