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2N2907AE4
| Fabricantes: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Ficha técnica: | 2N2907AE4 |
| Descripción: | DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 500mW |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Tipo de transistor | PNP |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | TO-18 |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 600mA |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 10µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.47 | $4.38 | $4.29 |
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