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1N5811US

Fabricantes: Microsemi Corporation
Categoría de producto: Diodes - Rectifiers - Single
Ficha técnica: 1N5811US
Descripción: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Microsemi Corporation
Categoría de producto Diodes - Rectifiers - Single
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Empaquetado Bulk
Tipo de diodo Standard
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SQ-MELF, B
Capacitancia : Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos de proveedores B, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
Corriente - Fuga inversa - Vr 5µA @ 50V
Voltaje - Inversión CC (Vr) (máx.) 150V
Corriente - Promedio rectificado (Io) 3A
Temperatura de funcionamiento - Unión -65°C ~ 175°C
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx.) - Si 875mV @ 4A

En stock 922 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.68 $9.49 $9.30

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