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MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: MT47H64M8SH-25E AIT:H TR
Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología SDRAM - DDR2
Tiempo de acceso 400ps
Tamaño de la memoria 512Mb (64M x 8)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 60-TFBGA
Frecuencia del reloj 400MHz
Número de pieza base MT47H64M8
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 95°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores 60-FBGA (10x18)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns

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MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR
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A2C00045443 A
Cypress Semiconductor Corp
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A2C00045250 A
Cypress Semiconductor Corp
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S29AL016J55BFIR10A
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S29AL008J70BFM023_791479U
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