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MT47H512M4EB-3:C
| Fabricantes: | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Categoría de producto: | Memory |
| Ficha técnica: | MT47H512M4EB-3:C |
| Descripción: | IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Micron Technology Inc. |
| Categoría de producto | Memory |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tray |
| Tecnología | SDRAM - DDR2 |
| Tiempo de acceso | 450ps |
| Tamaño de la memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 60-TFBGA |
| Frecuencia del reloj | 333MHz |
| Número de pieza base | MT47H512M4 |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Voltaje - Suministro | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 60-FBGA (9x11.5) |
| Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 15ns |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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