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MT46V128M4CY-5B:J

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: MT46V128M4CY-5B:J
Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SDRAM - DDR
Tiempo de acceso 700ps
Tamaño de la memoria 512Mb (128M x 4)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 60-TFBGA
Frecuencia del reloj 200MHz
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 2.5V ~ 2.7V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores 60-FBGA (8x12.5)
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 15ns

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