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MT41J512M8THU-15E:A

Fabricantes: Micron Technology Inc.
Categoría de producto: Memory
Ficha técnica: MT41J512M8THU-15E:A
Descripción: IC DRAM 4G PARALLEL 667MHZ
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memory
Serie -
Empaquetado Tray
Tecnología SDRAM - DDR3
Tiempo de acceso 13.5ns
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Tipo de memoria Volatile
Estado de la pieza Obsolete
Formato de memoria DRAM
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 82-FBGA
Frecuencia del reloj 667MHz
Número de pieza base MT41J512M8
Interfaz de memoria Parallel
Voltaje - Suministro 1.425V ~ 1.575V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC)
Paquete de dispositivos de proveedores -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -

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MT41J512M4JE-15E:A
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71V416YS15PHG
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