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SPP06N60C3HKSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SPP06N60C3HKSA1
Descripción: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.9V @ 260µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 750mOhm @ 3.9A, 10V
Disipación de energía (máx.) 74W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3-1
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 620pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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