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IPP65R190CFDXKSA2

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPP65R190CFDXKSA2
Descripción: HIGH POWER_LEGACY
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ CFD2
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 700µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Disipación de energía (máx.) 151W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TO220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 68nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1850pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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