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IPN80R1K4P7ATMA1
| Fabricantes: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | IPN80R1K4P7ATMA1 |
| Descripción: | MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 |
| Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
| Atributo | Valor de atributo |
|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | TO-261-3 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3.5V @ 70µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 7W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | PG-SOT223 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 10nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 250pF @ 500V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Tc) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 0 pcs
| Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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