Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPD031N03LGATMA1 |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.2V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 3.1mOhm @ 30A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 94W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO252-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 51nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 5300pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 90A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.50 | $0.49 | $0.48 |