Fabricantes: | Infineon Technologies |
---|---|
Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IPB80N04S306ATMA1 |
Descripción: | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 52µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 100W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TO263-3-2 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 47nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 40V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 3250pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 80A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |