La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

FZ600R65KE3NOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FZ600R65KE3NOSA1
Descripción: MODULE IGBT A-IHV190-6
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 2400W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC No
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 125°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 3.4V @ 15V, 600A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 1200A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 160nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 5mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 6500V

En stock 0 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2,465.89 $2,416.57 $2,368.24

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

FZ1200R45KL3B5NOSA1
Infineon Technologies
$2372.33
FMG2G75US120
ON Semiconductor
$0
FMG2G50US120
ON Semiconductor
$0
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
$0
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
$0
FMG2G200US60
ON Semiconductor
$0