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FP100R07N3E4B11BOSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: FP100R07N3E4B11BOSA1
Descripción: IGBT MODULE VCES 600V 100A
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 335W
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.95V @ 15V, 100A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 6.2nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 650V

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