Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | BSS670S2LH6327XTSA1 |
Descripción: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 2V @ 2.7µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 650mOhm @ 270mA, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 360mW (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-23-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 2.26nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 55V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 75pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 540mA (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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