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BSP321PH6327XTSA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSP321PH6327XTSA1
Descripción: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 380µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 900mOhm @ 980mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223-4
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 319pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 980mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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