Fabricantes: | Infineon Technologies |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | BSC065N06LS5ATMA1 |
Descripción: | MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | Infineon Technologies |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.3V @ 20µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 6.5mOhm @ 32A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 46W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PG-TDSON-8-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 13nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 60V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1800pF @ 30V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 64A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.49 | $0.48 | $0.47 |