La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

IXTY1N80P

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTY1N80P
Descripción: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 50µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 14Ohm @ 500mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 42W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252, (D-Pak)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 250pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 0 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.57 $1.54 $1.51

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

IXTP1N100P
IXYS
$1.57
IXTP08N100P
IXYS
$1.57
IXTA4N80P
IXYS
$1.57
HUF75639S3
ON Semiconductor
$1.57
IRFZ44STRLPBF
Vishay / Siliconix
$1.57
AUIRF3415
Infineon Technologies
$1.57