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IXTU1R4N60P

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTU1R4N60P
Descripción: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PolarHV™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 5.5V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 9Ohm @ 700mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 50W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-251
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 5.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 140pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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