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IXTT10N100D

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTT10N100D
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Depletion Mode
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.4Ohm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 400W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-268
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 130nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2500pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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