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IXTQ180N10T

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXTQ180N10T
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.) 480W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 151nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 6900pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 39 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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