Fabricantes: | IXYS |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXTP2N65X2 |
Descripción: | MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | IXYS |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 2.3Ohm @ 1A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 55W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-220 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 4.3nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 650V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 180pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.55 | $1.52 | $1.49 |