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IXFY8N65X2

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFY8N65X2
Descripción: MOSFET N-CH
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 450mOhm @ 4A, 10V
Disipación de energía (máx.) 150W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 650V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 790pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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