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IXFT50N20

Fabricantes:	IXYS
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IXFT50N20
Descripción:	MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IXYS
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	HiPerFET™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 4mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	45mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-268
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	220nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	4400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V