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IXFH12N100P

Fabricantes: IXYS
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IXFH12N100P
Descripción: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante IXYS
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, PolarP2™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
Disipación de energía (máx.) 463W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247AD (IXFH)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 80nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 1000V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 4080pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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