Fabricantes: | IXYS-RF |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | IXFX21N100F |
Descripción: | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 |
Estado RoHS: | Cumple con RoHS |
Atributo | Valor de atributo |
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Fabricante | IXYS-RF |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerRF™ |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5.5V @ 4mA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 500mOhm @ 10.5A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 500W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | PLUS247™-3 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 160nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1000V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 5500pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 21A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Precio de refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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