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71V416L10YG8

Fabricantes:	IDT, Integrated Device Technology Inc
Categoría de producto:	Memory
Ficha técnica:	71V416L10YG8
Descripción:	IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ
Estado RoHS:	Cumple con RoHS

Atributo	Valor de atributo
Fabricante	IDT, Integrated Device Technology Inc
Categoría de producto	Memory
Serie	-
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Tecnología	SRAM - Asynchronous
Tiempo de acceso	10ns
Tamaño de la memoria	4Mb (256K x 16)
Tipo de memoria	Volatile
Estado de la pieza	Active
Formato de memoria	SRAM
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Número de pieza base	IDT71V416
Interfaz de memoria	Parallel
Voltaje - Suministro	3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Paquete de dispositivos de proveedores	44-SOJ
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	10ns