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GSID150A120T2C1

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: GSID150A120T2C1
Descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Three Phase Bridge Rectifier
Serie Amp+™
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1087W
Configuración Three Phase Inverter
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 285A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 21.2nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

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