La imagen es sólo para referencia , ver Especificaciones del producto

GSID150A120S6A4

Fabricantes: Global Power Technologies Group
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Modules
Ficha técnica: GSID150A120S6A4
Descripción: SILICON IGBT MODULES
Estado RoHS: Cumple con RoHS
Atributo Valor de atributo
Fabricante Global Power Technologies Group
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Modules
Entrada Standard
Serie Amp+™
Tipo IGBT -
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1035W
Configuración Single
Tipo de montaje Chassis Mount
Termistor NTC Yes
Paquete / Caso Module
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Paquete de dispositivos de proveedores Module
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 275A
Capacitancia de entrada (Cies) - Vce 20.2nF @ 25V
Corriente - Corte del colector (máx.) 1mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 0 pcs

Precio de refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$108.51 $106.34 $104.21

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos pongamos en contacto con usted lo antes posible

Hallazgos de gangas

FF225R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$107.51
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$107.14
APTGT200DH60G
Microsemi Corporation
$106.93
FF200R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
$106.88
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
$106.56
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
$106.12